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產(chǎn)品中心

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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射600±10nm)

    更新時間:2024-08-21
    產(chǎn)品型號:
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射580±10nm)

    更新時間:2024-08-21
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射560±10nm)

    更新時間:2024-08-21
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射540±10nm)

    更新時間:2024-08-20
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  • 水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)(發(fā)射520±10nm)

    更新時間:2024-08-20
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