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水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射500±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射480±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射660±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性3-巰基丙酸包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）