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產(chǎn)品中心

Product Center
  • 水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射550±20nm）

    水溶性CuInS2/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CuInS2為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為30%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)550nm～800nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性CuInS/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射550±20nm）

    更新時(shí)間：2024-09-19
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  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射750±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-19
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射700±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-19
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  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射650±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-19
    產(chǎn)品型號(hào)：
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  • 水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）

    水溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)520nm～750nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。水溶性氨基PEG包覆InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射620±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-19
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