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油溶性CdSeTe/ZnS量子點產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)640nm～820nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點（發(fā)射760±10nm）

油溶性CdSeTe/ZnS量子點產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)640nm～820nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點（發(fā)射720±10nm）

油溶性CdSeTe/ZnS量子點產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)640nm～820nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點（發(fā)射680±10nm）

油溶性CdSeTe/ZnS量子點產(chǎn)品是以CdSeTe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)640nm～820nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性CdSeTe/ZnS 量子點（發(fā)射640±10nm）

油溶性CdSe量子點產(chǎn)品是以CdSe為核心,表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲存時應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～640nm任一波長不同克數(shù)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對稱，熒光強度高而穩(wěn)定等特點，可應(yīng)用于太陽能電池、發(fā)光器件與生物熒光標記等領(lǐng)域。油溶性CdSe量子點（發(fā)射640±10nm）