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產(chǎn)品中心

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  • 水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm)

    水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm~480nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性氨基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm)

    更新時(shí)間:2024-08-19
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  • 水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射470±10nm)

    水溶性ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnCdS為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為50%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)400nm~480nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射470±10nm)

    更新時(shí)間:2024-08-19
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  • 水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射450±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射450±10nm)

    更新時(shí)間:2024-08-19
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  • 水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射430±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射430±10nm)

    更新時(shí)間:2024-08-19
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  • 水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm)

    水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產(chǎn)率為70%,儲存時(shí)應(yīng)避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm~650nm任一波長的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一,吸收光譜寬泛,發(fā)射光譜窄而對稱,熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性羧基PEG包覆ZnCdS/ZnS量子點(diǎn)(發(fā)射410±10nm)

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