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水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)540nm～640nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射580±10nm）

水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)540nm～640nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射560±10nm）

水溶性CdTe/CdS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdTe為核心，CdS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為50%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)540nm～640nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性CdTe/CdS 量子點(diǎn)（發(fā)射540±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射660±10nm）

水溶性CdSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以CdSe為核心，ZnS為殼層，表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為70%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)480nm～650nm任一波長(zhǎng)的產(chǎn)品。本產(chǎn)品具有粒徑均一，吸收光譜寬泛，發(fā)射光譜窄而對(duì)稱，熒光強(qiáng)度高而穩(wěn)定等特點(diǎn)。水溶性氨基PEG包覆CdSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射640±10nm）