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產(chǎn)品中心

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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～750nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射520±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-06
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  • 油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射480±10nm）

    油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以InP為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為60%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)490nm～750nm任一波長(zhǎng)不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性InP/ZnS量子點(diǎn)（發(fā)射480±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-06
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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射440±10nm）

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射440±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-06
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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射420±10nm）

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射420±10nm）

    更新時(shí)間：2024-09-06
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  • 油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射400±10nm）

    油溶性ZnSe/ZnS量子點(diǎn)產(chǎn)品是以ZnSe為核心，ZnS為殼層，表面由疏水配體包裹的核/殼型熒光納米材料，平均的量子產(chǎn)率為80%，儲(chǔ)存時(shí)應(yīng)避免陽(yáng)光直射，4度密封暗處保存，可以為客戶訂制生產(chǎn)390nm-440nm波長(zhǎng)左右不同克數(shù)的產(chǎn)品。油溶性ZnSe/ZnS 量子點(diǎn)（發(fā)射400±10nm）

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