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  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射600±10nm)

    水溶性Mn摻雜結構量子點產品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為50%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產580nm~600nm任一波長不同克數的產品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射600±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產品型號:
    瀏覽量:540
  • 水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射580±10nm)

    水溶性Mn摻雜結構量子點產品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為50%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產580nm~600nm任一波長不同克數的產品。水溶性羧基PEG包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射580±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產品型號:
    瀏覽量:510
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射600±10nm)

    水溶性Mn摻雜結構量子點產品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為50%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產580nm~600nm任一波長不同克數的產品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射600±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產品型號:
    瀏覽量:530
  • 水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射580±10nm)

    水溶性Mn摻雜結構量子點產品,表面由親水配體包裹的熒光納米材料,平均的量子產率為50%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產580nm~600nm任一波長不同克數的產品。水溶性3-巰基丙酸包覆Mn摻雜量子點(發(fā)射580±10nm)

    更新時間:2024-09-23
    產品型號:
    瀏覽量:518
  • 水溶性CuInS/ZnS 量子點(發(fā)射800±20nm)

    水溶性CuInS2/ZnS量子點產品是以CuInS2為核心,ZnS為殼層,表面由親水配體包裹的核/殼型熒光納米材料,平均的量子產率為30%,儲存時應避免陽光直射,4度密封暗處保存,可以為客戶訂制生產550nm~800nm任一波長的產品。水溶性CuInS/ZnS 量子點(發(fā)射800±20nm)

    更新時間:2024-09-20
    產品型號:
    瀏覽量:552
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